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MGF0905A_1数据手册MITSUBISHI中文资料规格书

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厂商型号

MGF0905A_1

功能描述

GaAs FET with an N-channel schottky gate L,S BAND POWER GaAs FET

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 11:33:00

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MGF0905A_1规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
The MGF0905A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers.
FEATURES
High output power
   Po=34.0dBm(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=26dBm
High power gain
   Gp=8.0dB(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=26dBm
High power added efficiency
   P.A.E =40%(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=26dBmAPPLICATION
For UHF Band power amplifiersQUALITY
GGRECOMMENDED BIAS CONDITIONS
Vds=8V
Ids=800mA
Rg=100Ω
Refer to Bias Procedure

特性 Features

High output power
   Po=34.0dBm(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=26dBm
High power gain
   Gp=8.0dB(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=26dBm
High power added efficiency
   P.A.E =40%(TYP.) @f=1.65GHz,Pin=26dBmAPPLICATION
For UHF Band power amplifiersQUALITY
GGRECOMMENDED BIAS CONDITIONS
Vds=8V
Ids=800mA
Rg=100Ω
Refer to Bias Procedure

技术参数

  • 型号:

    MGF0905A_1

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全称:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    L,S BAND POWER GaAs FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三菱
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