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MGF0905A_1	文件：316.82 Kbytes Page：4 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? DESCRIPTION TheMGF0905A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES Highoutputpower Po=34.0dBm(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm Highpowergain Gp=8.0dB(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm Highpoweraddedefficiency P.A.E=4	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
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MGF0905A_1

文件：316.82 Kbytes

Page：4 Pages

L,S BAND POWER GaAs FET?

DESCRIPTION TheMGF0905A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES Highoutputpower Po=34.0dBm(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm Highpowergain Gp=8.0dB(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm Highpoweraddedefficiency P.A.E=4

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi

MGF0905A_11

文件：157.19 Kbytes

Page：4 Pages

High-power GaAs FET (small signal gain stage)

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi

详细参数

型号：
MGF0905A_1
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
L,S BAND POWER GaAs FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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