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MGF0909中文资料L, S BAND POWER GaAs FET数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

MGF0909

功能描述

L, S BAND POWER GaAs FET

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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MGF0909规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
The MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers.FEATURES
• High output power
   P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz
• High power gain
   GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm
• High power added efficiency
   hadd=45%(TYP.) @f=2.3GHz,P1dB=20dBmAPPLICATION
  For UHF Band power amplifiers

特性 Features

• High output power
   P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz
• High power gain
   GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm
• High power added efficiency
   hadd=45%(TYP.) @f=2.3GHz,P1dB=20dBmAPPLICATION
  For UHF Band power amplifiers 

技术参数

  • 型号:

    MGF0909

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全称:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    L,S BAND POWER GaAs FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBIS
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