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MGF0909	文件：22.93 Kbytes Page：3 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? DESCRIPTION The MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • High output power P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm • High power added efficiency hadd=45(TYP. 文件：22.93 Kbytes 页数：3 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0909	文件：300 bytes Page：1 Pages	L, S BAND POWER GaAs FET DESCRIPTION\nThe MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers.FEATURES\n• High output power\n P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz\n• High power gain\n GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm\n• High power added efficiency\n hadd=45%(TYP.) @f=2.3GHz,P1dB= • High output power\n P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz\n• High power gain\n GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm\n• High power added efficiency\n hadd=45%(TYP.) @f=2.3GHz,P1dB=20dBmAPPLICATION\n For UHF Band power amplifiers ;	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF0909	文件：300 bytes Page：1 Pages	L, S BAND POWER GaAs FET DESCRIPTION\nThe MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers.FEATURES\n• High output power\n P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz\n• High power gain\n GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm\n• High power added efficiency\n hadd=45%(TYP.) @f=2.3GHz,P1dB= • High output power\n P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz\n• High power gain\n GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm\n• High power added efficiency\n hadd=45%(TYP.) @f=2.3GHz,P1dB=20dBmAPPLICATION\n For UHF Band power amplifiers ;	MinebeaMitsumi 美蓓亚三美	MinebeaMitsumi
MGF0909A	文件：22.93 Kbytes Page：3 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? DESCRIPTION The MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • High output power P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm • High power added efficiency hadd=45(TYP. 文件：22.93 Kbytes 页数：3 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0909A	文件：38.08 Kbytes Page：3 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? 文件：38.08 Kbytes 页数：3 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0909A	文件：115.2 Kbytes Page：3 Pages	High-power GaAs FET(small signal gain stage) 文件：115.2 Kbytes 页数：3 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0909A_1	文件：38.08 Kbytes Page：3 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? 文件：38.08 Kbytes 页数：3 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0909A_11	文件：115.2 Kbytes Page：3 Pages	High-power GaAs FET(small signal gain stage) 文件：115.2 Kbytes 页数：3 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0909A	文件：300 bytes Page：1 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

详细参数

型号：
MGF0909
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
L,S BAND POWER GaAs FET

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