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MGF0918A	文件：86.85 Kbytes Page：3 Pages	L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ] DESCRIPTION The MGF0918A GaAs FET with an N-channel schottky Gate, is designed for use UHF band amplifiers. FEATURES ● High output power Po=27dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=8dBm ● High power gain Gp=20dB(TYP.) @f=1.9GHz ● High power added efficiency hadd=45(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=8dBm ● He 文件：86.85 Kbytes 页数：3 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0918A	文件：47.05 Kbytes Page：4 Pages	L & S BAND GaAs FET 文件：47.05 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0918A	文件：110.23 Kbytes Page：4 Pages	High-power GaAs FET (small signal gain stage) 文件：110.23 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0918A_04	文件：47.05 Kbytes Page：4 Pages	L & S BAND GaAs FET 文件：47.05 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0918A_11	文件：110.23 Kbytes Page：4 Pages	High-power GaAs FET (small signal gain stage) 文件：110.23 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF0918A	文件：300 bytes Page：1 Pages	L & S BAND GaAs FET	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

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