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MGF1403B

LOW NOISE GaAs FET?

DESCRIPTION The MGF1403B is a low-noise GaAs FET with an N-channel Schottky gate, which is designed for use in S to Ku band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metal-ceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATUR

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MITSUBISHI

三菱电机

MGF1403B

LOW NOISE GaAs FET?

文件:317.99 Kbytes 页数:5 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

MGF1403B_1

LOW NOISE GaAs FET?

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MITSUBISHI

三菱电机

MGF1403B

低噪声GaAs FET

MITSUBISHI

三菱电机

技术参数

  • Noise Figure(dB):

    1.8

  • Associated Gain(dB):

    10.5

  • Frequency(GHz):

    12.0

  • Drain-Source Voltage(V):

    3.0

  • Drain Current(mA):

    10.0

  • S-parameter:

    mgf1403b.s2p

  • Remarks:

    G

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更多MGF1403B供应商 更新时间2026-4-18 17:31:00