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MGF0909A	文件：22.93 Kbytes Page：3 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? DESCRIPTION TheMGF0909A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES •Highoutputpower P1dB=38dBm(TYP.)@f=2.3GHz •Highpowergain GLP=11dB(TYP.)@f=2.3GHz,Pin=20dBm •Highpoweraddedefficiency hadd=45(TYP.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机
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MGF0909A	文件：115.2 Kbytes Page：3 Pages	High-power GaAs FET(small signal gain stage)	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机
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0909	文件：388.09 Kbytes Page：2 Pages	StripBlockforSnap-inMountingwithupto7IECApplianceOutletsF	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团
0909	文件：279.18 Kbytes Page：3 Pages	StripBlockforSnap-inMountingwithupto7IECApplianceOutletsF	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团
0909	文件：562.02 Kbytes Page：2 Pages	CCDcameras	LSTD Laird Tech Smart Technology
0909	文件：298 Kbytes Page：3 Pages	StripBlockforSnap-inMountingwithupto7IECApplianceOutletsF	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团
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0909ND	文件：1.56275 Mbytes Page：11 Pages	DualN-channelOptiMOS??MOSFET Features ·DualN-channelOptiMOS™MOSFET ·Enhancementmode ·Logiclevel(4.5Vrated) ·Avalancherated ·100Lead-free;RoHScompliant ·Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
0909NS	文件：1.23512 Mbytes Page：11 Pages	n-ChannelPowerMOSFET 1.Description OptiMOS™30VproductsareclassleadingpowerMOSFETsforhighestpower densityandenergyefficientsolutions.Ultralowgate-andoutputchargestogether withlowestonstateresistanceinsmallfootprintpackagesmakeOptiMOS™30V thebestchoiceforthedemandingrequirements	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
APLT0909-RT	文件：80.81 Kbytes Page：1 Pages	PLLModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.
BSC0909NS	文件：1.52818 Mbytes Page：12 Pages	n-ChannelPowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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BSZ0909NS	文件：1.23512 Mbytes Page：11 Pages	n-ChannelPowerMOSFET 1.Description OptiMOS™30VproductsareclassleadingpowerMOSFETsforhighestpower densityandenergyefficientsolutions.Ultralowgate-andoutputchargestogether withlowestonstateresistanceinsmallfootprintpackagesmakeOptiMOS™30V thebestchoiceforthedemandingrequirements	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
DMI0909	文件：197.58 Kbytes Page：4 Pages	LeadedPowerChokesDMI	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
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PA0909	文件：631.28 Kbytes Page：4 Pages	HighFrequencyPlanarTransformers	pulse Pulse Electronics

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详细参数

型号：
MGF0909A
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
L,S BAND POWER GaAs FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	MGF0909A	MITSUBISHI/三菱	2019+	GF-7	6992	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市旺财半导体有限公司	MGF0909A	MITSUBISHI	23+		1688	房间现货库存:QQ:373621633	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	MGF0909A	三菱	23+	DIP-8P	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市利加科技有限公司	MGF0909A	MIT/MITSUBISHI	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价
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深圳市欧特拉科技有限公司	MGF0909A	MITSUBISHI/三菱	19+	NA	1650	以质为本,只做原装正品	询价

更多MGF0909A供应商更新时间2024-4-18 16:04:00

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