MGF0909A资料datasheet下载贸易商三菱电机-114ic电子网

首页 >MGF0909A>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
MGF0909A	文件：22.93 Kbytes Page：3 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? DESCRIPTION The MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • High output power P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm • High power added efficiency hadd=45(TYP. 文件：22.93 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF0909A	文件：38.08 Kbytes Page：3 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? 文件：38.08 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF0909A	文件：115.2 Kbytes Page：3 Pages	High-power GaAs FET(small signal gain stage) 文件：115.2 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF0909A_1	文件：38.08 Kbytes Page：3 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? 文件：38.08 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF0909A_11	文件：115.2 Kbytes Page：3 Pages	High-power GaAs FET(small signal gain stage) 文件：115.2 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF0909A	文件：300 bytes Page：1 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

更多MGF0909A供应商更新时间2026-1-20 15:08:00