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MGF4952A	文件：182.13 Kbytes Page：4 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT DESCRIPTION The MGF4951A/MGF4952A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=12GHz MGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.) MGF495 文件：182.13 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF4952A	文件：184.61 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT 文件：184.61 Kbytes 页数：5 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF4952A	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-GaAs High Frequency Devices Low Noise GaAs HEMTs MGF4952A	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
NSL-4952	文件：22.06 Kbytes Page：1 Pages	TO-8 Photocells Ceramic Package 文件：22.06 Kbytes 页数：1 Pages	SILONEX	SILONEX
NSL-4952	文件：331.35 Kbytes Page：1 Pages	TO-8 Ceramic Photocell 文件：331.35 Kbytes 页数：1 Pages	ADVANCEDPHOTONIX	ADVANCEDPHOTONIX
NTE4952	文件：26.04 Kbytes Page：2 Pages	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional Description: The NTE4900 series of silicon Transient Suppressors designed to protect voltage sensitive components from high energy voltage transients. Transient over voltage suppressor devices have become very important as a consequence of their high surge capability, extremely fast response time 文件：26.04 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE

技术参数

Frequency Typ：
12GHz
Drain-Source Voltage Typ：
2V
Drain Current：
10mA
Package：
GF-55
Noise Figure：
0.60(typ) 0.80(max)dB
Associated Gain：
11.0(min) 12.0(typ)dB
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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更多MGF4952A供应商更新时间2025-12-9 15:30:00

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