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FDS6679	文件：69.08 Kbytes Page：5 Pages	30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers,andbatterychargers.TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS6679	文件：98.18 Kbytes Page：4 Pages	30 Volt P-Channel PowerTrench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS6679AZ	文件：414 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -13A, 9mOhm GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproductedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS6679AZ	文件：1.20384 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES -30V/-15A Rosion)=6-8MQ(Max.)@Vg=-10V Roson=13MQ(Max)@V,,=-4.5V	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司
FDS6679Z	文件：66.55 Kbytes Page：5 Pages	30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers,andbatterychargers.TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS6679_05	文件：98.18 Kbytes Page：4 Pages	30 Volt P-Channel PowerTrench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS6679AZ	文件：434.54 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel PowerTrench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS6679AZ_08	文件：434.54 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel PowerTrench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS6679AZ-NL	文件：995.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
6679	文件：998.82 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
6679BGM	文件：991.33 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
6679BGM-HF	文件：991.29 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
6679GH	文件：1.02315 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
6679GH-HF	文件：1.02308 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
6679GM	文件：991.25 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
6679GM-HF	文件：991.24 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
6679M	文件：991.11 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
6679SC	文件：991.04 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AD6679	文件：1.73087 Mbytes Page：81 Pages	135MHzBWIFDiversityReceiver	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD6679	文件：1.72319 Mbytes Page：82 Pages	135MHzBWIFDiversityReceiver	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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详细参数

型号：
FDS6679
功能描述：
MOSFET SO-8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDS6679供应商更新时间2024-4-19 16:49:00

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