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FDS6679中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDS6679

功能描述

30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

69.08 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-10 11:00:00

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FDS6679规格书详情

This P-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers, and battery chargers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications.

特性 Features

· –13 A, –30 V. RDS(ON) = 9 mW @ VGS = –10 V

RDS(ON) = 13 mW @ VGS = – 4.5 V

· Extended VGSS range (±25V) for battery applications

· High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

· High power and current handling capability

产品属性

  • 型号:

    FDS6679

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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