丝印：6679；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES -30V/-15A Rosion) =6-8MQ(Max.) @ Vg =-10V Roson =13MQ(Max) @ V,, =-4.5V

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TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：6679B；Package：PMPAK5x6；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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A-POWER

富鼎先进电子

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP6679GJ) is available for low-profile applications. ▼ Lower On-resistance ▼ Simple Driv

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A-POWER

富鼎先进电子

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：998.82 Kbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：991.33 Kbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：991.29 Kbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.02315 Mbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.02308 Mbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：991.25 Kbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：991.24 Kbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体