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丝印：66DN3LLH5；Package：PowerFLAT；Dual N-channel 30 V, 5.9 m廓, 20 A STripFET??V Power MOSFET in PowerFLAT??5x6 double island package 文件：617.36 Kbytes 页数：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
66DN3LLH5
- 功能描述：
MOSFET Dual N-Ch 5.9mOhm 30V 20A STripFET V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-9-13 9:05:00
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