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STL66DN3LLH5中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

| 厂商型号 |
STL66DN3LLH5 |
| 功能描述 | Dual N-channel 30 V, 5.9 m廓, 20 A STripFET??V Power MOSFET in PowerFLAT??5x6 double island package |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PowerFLAT |
| 文件大小 |
617.36 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-9-30 18:47:00 |
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产品属性
- 型号:
STL66DN3LLH5
- 功能描述:
MOSFET Dual N-Ch 5.9mOhm 30V 20A STripFET V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
15+/16+ |
DFN5x6 |
228000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
26+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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ST/意法 |
2517+ |
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ST(意法) |
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STMicroelectronics |
26+ |
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ST/意法半导体 |
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PowerFLAT-5x6-8 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
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ST |
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ST/意法半导体 |
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