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丝印：66N3LLH5；Package：PowerFLAT；Automotive-grade dual N-channel 30 V, 4.5 m廓 typ., 80 A STripFET??H5 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 package 文件：985.34 Kbytes 页数：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
66N3LLH5
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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DFN56 |
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更新时间2025-10-31 13:31:00
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