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厂商型号

FDS6679AZ

功能描述

P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -13A, 9mOhm

文件大小

414 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2026-1-30 23:00:00

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FDS6679AZ规格书详情

General Description

This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.

This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

特性 Features

■ Max rDS(on) = 9.3mΩ at VGS = -10V, ID = -13A

■ Max rDS(on) = 14.8mΩ at VGS = -4.5V, ID = -11A

■ Extended VGS range (-25V) for battery applications

■ HBM ESD protection level of 6kV typical (note 3)

■ High performance trench technology for extremely low rDS(on)

■ High power and current handing capability

■ RoHS Compliant

产品属性

  • 型号:

    FDS6679AZ

  • 功能描述:

    MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
25+
SOIC-8_150mil
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