FDS6679中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，-13A，9mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS6679规格书详情
描述 Description
该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。
特性 Features
•-13 A, -30 V.
•RDS(ON) = 9 m Ω （VGS = -10 V 时）
•RDS(ON) = 13 mΩ （VGS = -4.5 V 时）
•为电池应用设计的扩展VGSS范围(±25V)
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDS6679
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-13
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：13
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：9
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：16
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：71
- Ciss Typ (pF)
：3939
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild |
20+ |
SOP-8 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
仙童 |
23+ |
SOP |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOIC-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FCS |
23+ |
SOP-8 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
SOP8 |
5645 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | ||
FSC |
24+ |
SMD |
20000 |
一级代理原装现货假一罚十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHIL |
09+ |
SOP8 |
5500 |
原装无铅,优势热卖 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2447 |
SOIC-8 |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 |
