FDS6679中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，-13A，9mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性 Features

•-13 A, -30 V.
•RDS(ON) = 9 m Ω （VGS = -10 V 时）
•RDS(ON) = 13 mΩ （VGS = -4.5 V 时）
•为电池应用设计的扩展VGSS范围(±25V)
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.