FDS6675BZ中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-11A，13mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS6675BZ规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件非常适合笔记本电脑和便携电池组中的电源管理和负载开关应用。
特性 Features
•VGS = -10V，ID = -11A时，最大rDS(on) = 13mΩ
•VGS = -4.5V，ID = -9A时，最大rDS(on) = 21.8mΩ
•扩展了VGS范围(-25V)，适合电池应用
•HBM ESD保护等级典型值为5.4kV（注3）
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Power Management
• Load Switch
技术参数
- 制造商编号
：FDS6675BZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-11
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：21.8
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：13
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：13
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：25
- Ciss Typ (pF)
：1855
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
SO-8 |
29765 |
原装正品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
1709+ |
SOP8 |
79999 |
优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOP |
100 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2410+ |
SOP-8 |
80000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
SO-8 |
16998 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
1348 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
25850 |
新到现货,只有原装 |
询价 | |||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
FAIRCHIL |
23+ |
SOP8 |
23642 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 |
