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PT6606	文件：242.23 Kbytes Page：5 Pages	9AMPADJUSTABLEINTEGRATEDSWITCHINGREGULATOR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT6606	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
PT6606F	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
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SPC6606	文件：590.51 Kbytes Page：9 Pages	NandPPairEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
UM6606	文件：221.09 Kbytes Page：4 Pages	PINDIODE DESCRIPTION TheseseriesofPINdiodesaredesignedforapplicationsrequiringsmallpackagesizeandmoderateaveragepowerhandlingcapability.ThelowcapacitanceoftheUM6000andUM6600allowsthemtobeusedasseriesswitchingelementsto1GHz.ThelowresistanceoftheUM6200isuseful	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM6606A	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UM6606B	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

详细参数

型号：
FDD6606_Q
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDD6606_Q供应商更新时间2025-5-20 14:50:00

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