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FDD6780

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD6780

MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK;

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FDD6780A

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

FDD6780A

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD6780A

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 25 V, 8.6 m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDD6780A

MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK;

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    FDD6780

  • 功能描述:

    MOSFET 25V N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
24+
TO-252
505348
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24+
TO-252
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更多FDD6780供应商 更新时间2025-7-31 10:12:00