isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=73A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8.2mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

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ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，73A，8.2mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •RDS(ON) = 8.2 mΩ @ VGS = 10V @ ID = 35A\n•RDS(ON) = 10 mΩ @ VGS = 4.5V @ ID = 35A\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体