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FDD8876	文件：353.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=73A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.2mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD8876	文件：272.7 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8876	文件：473.1 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8876_08	文件：473.1 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
8876MN	文件：185.94 Kbytes Page：2 Pages	SpaceMaker™,5C#20StrTC,POIns,OS,PVCJkt,AWM2937 ProductDescription SpaceMaker™,5Conductor20AWG(26x34)TinnedCopper,POInsulation,OverallBeldfoil®Shield,PVCOuterJacket,AWM2937	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
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BD8876FV	文件：1.11174 Mbytes Page：24 Pages	OutputCouplingCapacitor-lessLineAmplifier	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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详细参数

型号：
FDD8876
功能描述：
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDD8876供应商更新时间2024-4-29 10:21:00

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