isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.0mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

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ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 4.0mOHM

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，4.0mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低r DS(on)和高速开关进行了优化。 •VGS = 10V，ID = 35A时，最大rDS(on) = 4.0 mΩ\n•VGS = 4.5V，ID = 35A时，最大rDS(on) = 5.5 mΩ\n•低栅极电荷： Qg(10) = 52nC（典型值），VGS = 10V\n•低栅极电阻\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体