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FDD6780中文资料百域芯数据手册PDF规格书

FDD6780
厂商型号

FDD6780

功能描述

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

文件大小

815.67 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED
企业简称

BYCHIP百域芯

中文名称

深圳市百域芯科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 10:06:00

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FDD6780规格书详情

特性 Features

 VDS= 40V, ID= 150A

RDS(ON) < 2 mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 3 mΩ @ VGS = 4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

产品属性

  • 型号:

    FDD6780

  • 功能描述:

    MOSFET 25V N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FairchildSemiconductor
24+
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3000
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