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FDD8896	文件：353.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=94A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDD8896	文件：651.96 Kbytes Page：7 Pages	30V N-Channel MOSFET Features VDS(V)=30V ID=35A(VGS=10V) RDS(ON)=5.7mW(VGS=10V) RDS(ON)=6.8mW(VGS=4.5V)	UMWUMW 友台友台半导体
FDD8896	文件：130.1 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD8896	文件：622.66 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD8896	文件：1.01141 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FDD8896-F085	文件：553.93 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 94A, 5.7mΩ GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallyto improvetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusing eithersynchronousorconventionalswitchingPWM controllers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,low rDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •rD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FDD8896_08	文件：622.66 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD8896_12	文件：1.04027 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 94A, 5.7m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD8896_F085	文件：1.04027 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
8896	文件：223.92 Kbytes Page：1 Pages	ANTI-STATICICTRAYCLIP	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司
8896	文件：547.22 Kbytes Page：3 Pages	3M??Scotch짰StrappingTape8896	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
ACT8896	文件：88.35 Kbytes Page：2 Pages	AdvancedPMUforSamsungS3C6410 GENERALDESCRIPTION TheACT8896isacomplete,costeffective,highly-efficientActivePMUTMpowermanagementsolution,optimizedfortheuniquepower,voltage-sequencing,andcontrolrequirementsoftheSamsungS3C6410processor. FEATURES •OptimizedforSamsungS3C6410Processor •Three	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.
FDB8896	文件：269.73 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET30V,93A,5.7mohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDB8896	文件：553.45 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDB8896	文件：331.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=93A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDP8896	文件：328.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDP8896	文件：266.38 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET30V,92A,5.9m?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDP8896	文件：474.77 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET30V,92A,5.9m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS8896	文件：622.1 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS8896	文件：260.529 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
FDD8896
功能描述：
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FDD8896	onsemi	23+	TO-252AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多FDD8896供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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