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FDD8896_08	文件：622.66 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：622.66 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD8896_12	文件：1.04027 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 94A, 5.7m廓文件：1.04027 Mbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD8896_F085	文件：1.04027 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：1.04027 Mbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD8896_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V、94 A、4.7 mΩ、l DPAKN 沟道 PowerTrench® 此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。 •rDS(ON) = 5.7mΩ, VGS = 10V, ID = 35A\n•rDS(ON) = 6.8mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35A\n•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(ON)\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力\n•符合AEC Q101\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
94
PD Max (W)：
80
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
6.8
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
5.7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
24
Ciss Typ (pF)：
2525
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

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更多FDD8896供应商更新时间2025-12-13 19:07:00

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