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FDD8896_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDD8896_F085

功能描述

30 V、94 A、4.7 mΩ、l DPAKN 沟道 PowerTrench®

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 21:04:00

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FDD8896_F085规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

•rDS(ON) = 5.7mΩ, VGS = 10V, ID = 35A
•rDS(ON) = 6.8mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35A
•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(ON)
•低栅极电荷
•高功率和高电流处理能力
•符合AEC Q101
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD8896_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :94

  • PD Max (W)

    :80

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :6.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5.7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :46

  • Ciss Typ (pF)

    :2525

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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