FDD86369中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,90A,7.9mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD86369规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 是专为使用同步或传统开关 PWM 控制器来改进 DC/DC 转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。
特性 Features
•典型值 rDS(ON) = 5.9mΩ (VGS = 10V、ID = 80A)
•典型值 Qg(tot) = 34 nC(VGS = 10V、ID = 80A)
•UIS 能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• PowerTrain Management
• Solenoid and Motor Drivers
• Integrated Starter/Alternator
• Primary Switch for 12V Systems
技术参数
- 制造商编号
:FDD86369
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:80
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:90
- PD Max (W)
:150
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:7.9
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:36
- Ciss Typ (pF)
:2530
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
60000 |
询价 | |||
ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
21+ |
D-PAK(TO-252) |
2500 |
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询价 | ||
ON |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
ONSEMI |
25+ |
N/A |
7500 |
原装现货17377264928微信同号 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
TO-252 |
8956 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-252 |
25800 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO252 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装,请咨询 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |