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FDD86369中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,90A,7.9mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD86369

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,90A,7.9mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 13:31:00

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FDD86369规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 是专为使用同步或传统开关 PWM 控制器来改进 DC/DC 转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

•典型值 rDS(ON) = 5.9mΩ (VGS = 10V、ID = 80A)
•典型值 Qg(tot) = 34 nC(VGS = 10V、ID = 80A)
•UIS 能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• PowerTrain Management
• Solenoid and Motor Drivers
• Integrated Starter/Alternator
• Primary Switch for 12V Systems

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD86369

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :90

  • PD Max (W)

    :150

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :7.9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :36

  • Ciss Typ (pF)

    :2530

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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