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FDD86367中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80 V,100 A,4.2 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD86367

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80 V,100 A,4.2 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 12:00:00

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FDD86367规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 100 A, 4.2 mΩ

特性 Features

• Typical RDS(on) = 3.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 80 A
• Typical Qg(TOT) = 68 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A
• UIS Capability
• RoHS Compliant

应用 Application

• PowerTrain Management
• Solenoid and Motor Drivers
• Integrated Starter/Alternator
• Primary Switch for 12V Systems

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD86367

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :100

  • PD Max (W)

    :227

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.2

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :68

  • Ciss Typ (pF)

    :4840

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
2511
D-PAK
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TO-252
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ON(安森美)
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1983
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