FDD8778中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 25V，35A，14mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD8778规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。
特性 Features
•VGS = 10V，ID = 35A时，最大rDS(on) = 14.0 mΩ
•最大rDS(on) 此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 = 21.0m? VGS= 4.5V，ID = 33A时
•低栅极电荷： Qg(TOT) = 12.6nC（典型值），VGS = 10V
•低栅极电阻
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD8778
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：25
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：35
- PD Max (W)
：39
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：21
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：14
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：9.4
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：6.7
- Ciss Typ (pF)
：635
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
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