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FDD8778数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDD8778

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 25V,35A,14mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 8:55:00

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FDD8778规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 35A时,最大rDS(on) = 14.0 mΩ
•最大rDS(on) 此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 = 21.0m? VGS= 4.5V,ID = 33A时
•低栅极电荷: Qg(TOT) = 12.6nC(典型值),VGS = 10V
•低栅极电阻
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD8778

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :25

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :35

  • PD Max (W)

    :39

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :21

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :14

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :9.4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.7

  • Ciss Typ (pF)

    :635

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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