FDD8780中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,25V,35A,8.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD8780规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。
特性 Features
•VGS = 10V,ID = 35A时,最大rDS(on) = 8.5 mΩ
•VGS = 4.5V,ID = 35A时,最大rDS(on) = 12.0 mΩ
•低栅极电荷: Qg(10) = 21nC(典型值),VGS = 10V
•低栅极电阻
•雪崩额定值,100%经过测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDD8780
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:25
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:2.5
- ID Max (A)
:35
- PD Max (W)
:50
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:12
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:8.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:19
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:11.2
- Ciss Typ (pF)
:1080
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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