isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=42A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 9.0mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

文件：353.26 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 40V, ID= 80A RDS(ON)

文件：2.20665 Mbytes 页数：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET

文件：1.0039 Mbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40 V, 42 A, 9 m廓

文件：317.33 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，42A，9mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench®工艺生产，以提供低rDS(on)和优化的BVDSS能力，从而在应用中实现卓越性能。 •VGS = 10 V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 9 mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 11 A时，rDS(on)= 13 mΩ（最大值）\n•快速开关\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体