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FM6606	文件：276.09 Kbytes Page：8 Pages	USBcharginginterfaceintelligentcontrolchip	FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富满微富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
IPC-6606	文件：1.38833 Mbytes Page：2 Pages	8/6-SlotDesktop/WallmountChassiswithPS/2andRedundantPowerSupplyOptions	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
MCH6606	文件：42.59 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications N-ChannelSiliconMOSFET Features •LowONresistance. •Ultrahigh-speedswithcing. •4Vdrive. •Compositetypewith2MOSFETscontainedinone package,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MP6606	文件：565.85 Kbytes Page：16 Pages	60V,8-ChannelLow-SideDriverwithSerialInterfaceandFaultIndication DESCRIPTION TheMP6606isan8-channellow-sidedriverIC withaserialinterface.Thedeviceintegrates low-sideMOSFET(LS-FET)switchesandhighside clampdiodestodriveinductiveloads, whichmakesitwell-suitedforunipolarstepper motorandsolenoiddrives. TheMP6606operatesfrom	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6606GF	文件：565.85 Kbytes Page：16 Pages	60V,8-ChannelLow-SideDriverwithSerialInterfaceandFaultIndication DESCRIPTION TheMP6606isan8-channellow-sidedriverIC withaserialinterface.Thedeviceintegrates low-sideMOSFET(LS-FET)switchesandhighside clampdiodestodriveinductiveloads, whichmakesitwell-suitedforunipolarstepper motorandsolenoiddrives. TheMP6606operatesfrom	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6606GF-Z	文件：565.85 Kbytes Page：16 Pages	60V,8-ChannelLow-SideDriverwithSerialInterfaceandFaultIndication DESCRIPTION TheMP6606isan8-channellow-sidedriverIC withaserialinterface.Thedeviceintegrates low-sideMOSFET(LS-FET)switchesandhighside clampdiodestodriveinductiveloads, whichmakesitwell-suitedforunipolarstepper motorandsolenoiddrives. TheMP6606operatesfrom	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MSM6606	文件：132 Kbytes Page：18 Pages	80-DOTLCDDRIVERWITHKEYMATRIX GENERALDESCRIPTION TheMSM6606isanLCDdriverfora1/2dutydynamicdisplay.ItcandirectlydriveanLCDofupto80segments,andoneLED.Keyboardinputisnowavailablebytheinternal5x6keyscancircuit,andthenumberofwiresbetweenthefrontpanelandtheCPUcanbeminimized. FE	OKIOki Electric Cable Co.,Ltd 冲电线冲电线株式会社	OKI
NAS6606	文件：58.47 Kbytes Page：2 Pages	BOLT,HEXHEAD,CLOSETOLERANCE,ALLOYSTEELSHORTTHREAD	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
NAS6606	文件：419.27 Kbytes Page：6 Pages	NATIONALAEROSPACESTANDARD	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
P6606	文件：155.84 Kbytes Page：4 Pages	InSbphotoconductivedetector Thermoelectricallycooleddetectorscapableoflong-termmeasurements Features ●Thermoelectriccoolingensureshighspeedandhigh sensitivityupto6.5µm. ●Photoconductiveelementthatchangeselectrical resistancebyinputofIRradiation ●Easy-to-usedetector/preampmodul	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU

详细参数

型号：
FDD6606_Q
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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深圳市仟禧电子有限公司	FDD6606MOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	22+	SOT-252	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
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更多FDD6606_Q供应商更新时间2025-5-20 14:50:00

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