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FDD6690S	文件：930.3 Kbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDP6690	文件：88.46 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription ThisMOSFETisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandparallelSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDP6690SincludesanintegratedSchottkydi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6690S	文件：88.46 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription ThisMOSFETisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandparallelSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDP6690SincludesanintegratedSchottkydi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6690S	文件：333.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDS6690	文件：203.64 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisNChannelLogicLevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheMOSFETfeaturesfasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcompar	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6690A	文件：200.17 Kbytes Page：9 Pages	DualNotebookPowerSupplyN-ChannelPowerTrenchSyncFET? GeneralDescription TheFDS6986SisdesignedtoreplacetwosingleSO-8MOSFETsandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersuppliesthatprovidevariousperipheralvoltagesfornotebookcomputersandotherbatterypoweredelectronicdevices.FDS6986Scontainstwounique30V,N-channel,logicl	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6690A	文件：461.58 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features Fastswitchingspeed Lowgatecharge Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=11A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDS6690A	文件：457.24 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6690AS	文件：759.67 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrench짰SyncFET? GeneralDescription TheFDS6690ASisdesignedtoreplaceasingleSO-8MOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDS6690ASincludesanintegratedSchottkydio	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6690AS	文件：1.42204 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=30V,ID=13A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

详细参数

型号：
FDD6690A_Q
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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