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DMMT5551-TP	文件：78.85 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors Features •SurfaceMountSOT-363Package •200mWattsofPowerDissipation •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DXT5551	文件：238.33 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	DCCOM Dc Components	DCCOM
DXT5551	文件：372.59 Kbytes Page：6 Pages	160VNPNTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DZT5551	文件：177.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgainholdup •ComplementaryPNPType:DZT5401 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAnti	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DZT5551Q	文件：492.12 Kbytes Page：7 Pages	160VNPNVOLTAGETRANSISTORINSOT223 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgain	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
E5551	文件：5.98887 Mbytes Page：294 Pages	HighPerformance,LowPowerAtmelAVR8-bitMicrocontrollerAdvancedRISCArchitecture	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
FFB5551	文件：112.7 Kbytes Page：5 Pages	Dual-ChipNPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB5551	文件：247.19 Kbytes Page：5 Pages	Dual-ChipNPNGeneral-PurposeAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FMB5551	文件：72.12 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierSuperSOT-6SurfaceMountPackage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB5551	文件：29.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierSuperSOT-6SurfaceMountPackage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
DMMT5551-TP
功能描述：
TRANSISTOR NPN 200MA 160V SOT363
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列
系列：
-
标准包装：
10,000
晶体管类型：
2 NPN（双）电流 -
集电极(Ic)（最大）：
100mA 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
600mV @ 5mA，100mA 电流 -
集电极截止（最大）：
- 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
200 @ 2mA，5V 功率 -
最大：
250mW 频率 -
转换：
250MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：
PG-SOT363-6
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000747402

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	DMMT5551-TP	Micro Commercial Co	2022+	SOT-363	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	DMMT5551-TP	Micro Commercial Co	25+	6-TSSOP SC-88 SOT-363	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
艾睿国际（香港）有限公司	DMMY	MICROCHIP/微芯	2447	QFN10	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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深圳市一线半导体有限公司	DMN100	ON/DIODES/PANJIT	24+	SC59	43000		询价
深圳诚思涵科技有限公司	DMN100	DIODES	16+	SC59	37000	鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!	询价
深圳兆威电子有限公司	DMN100	DIODES/美台	22+	SC59	90000	正规代理渠道假一赔十	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	DMN100	DIODES/美台	SOT-23	22+	6000	十年配单,只做原装	询价

更多DMMT5551-TP供应商更新时间2025-7-14 8:24:00

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