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DMMT5551-TP

Plastic-Encapsulate Transistors

Features • Surface Mount SOT-363 Package • 200mWatts of Power Dissipation • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1 • Marking:K4R

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MCC

DXT5551

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description Designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages.

文件:238.33 Kbytes 页数:1 Pages

DCCOM

道全

DXT5551

160V NPN TRANSISTOR

文件:372.59 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DZT5551

NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • BVCEO > 160V • BVEBO > 6V • IC = 600mA Continuous Collector Current • Low Saturation Voltage (150mV max @10mA) • hFE specified up to 50mA for a high gain hold up • Complementary PNP Type: DZT5401 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Anti

文件:177.77 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

详细参数

  • 型号:

    DMMT5551-TP

  • 功能描述:

    TRANSISTOR NPN 200MA 160V SOT363

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    10,000

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双) 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    100mA 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    45V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):

    600mV @ 5mA,100mA 电流 -

  • 集电极截止(最大):

    - 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE):

    200 @ 2mA,5V 功率 -

  • 最大:

    250mW 频率 -

  • 转换:

    250MHz

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商设备封装:

    PG-SOT363-6

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 其它名称:

    SP000747402

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT23
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更多DMMT5551-TP供应商 更新时间2025-10-4 15:01:00