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DMN100	文件：159.99 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •ExtremelyLowOn-Resistance:170mΩ@VGS=4.5V •HighDrainCurrent:1.1A •IdealforNotebookComputer,PortablePhone,PCMCIACards,andBatteryPoweredCircuits •ESDProtectedGate •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMN100	文件：63.86 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •ExtremelyLowOn-Resistance:170mΩ@VGS=4.5V •HighDrainCurrent:1.1A •IdealforNotebookComputer,PortablePhone,PCMCIA Cards,andBatteryPoweredCircuits •ESDProtectedGate •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN100	文件：86.02 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN100	文件：154.39 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN1001UCA10	文件：534.07 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features CSPwithFootprint1.84mm×1.96mm Height=0.30mm(Typical)forLowProfile ESDProtectionofGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol(i.	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN1001UCA10-7	文件：534.07 Kbytes Page：7 Pages	Marking：M7；Package：X2-TSN1820-10；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features CSPwithFootprint1.84mm×1.96mm Height=0.30mm(Typical)forLowProfile ESDProtectionofGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol(i.	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN1002UCA6	文件：478.69 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RSS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •CSPwithFootprint3.05mm×1.77mm •Height=0.11mmforLowProfile •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN1002UCA6-7	文件：478.69 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RSS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •CSPwithFootprint3.05mm×1.77mm •Height=0.11mmforLowProfile •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN1004UFDF	文件：493.41 Kbytes Page：7 Pages	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •0.6mmProfile–IdealforLow-ProfileApplications •PCBFootprintof4mm2	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN1004UFDF-13	文件：493.41 Kbytes Page：7 Pages	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •0.6mmProfile–IdealforLow-ProfileApplications •PCBFootprintof4mm2	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
DMN100
制造商：
DIODES
制造商全称：
Diodes Incorporated
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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