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DMN1008UFDF-7	文件：573.61 Kbytes Page：7 Pages	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications • PCB Footprint of 4mm2 • Low Gat 文件：573.61 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1008UFDFQ	文件：548.25 Kbytes Page：7 Pages	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  PCB Footprint of 4mm2  Low Gate Threshold Voltage  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN1008UFDFQ is suitable for automoti 文件：548.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1008UFDFQ-13	文件：548.25 Kbytes Page：7 Pages	丝印：8N；Package：U-DFN2020-6；12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  PCB Footprint of 4mm2  Low Gate Threshold Voltage  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN1008UFDFQ is suitable for automoti 文件：548.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1008UFDFQ-7	文件：548.25 Kbytes Page：7 Pages	丝印：8N；Package：U-DFN2020-6；12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  PCB Footprint of 4mm2  Low Gate Threshold Voltage  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN1008UFDFQ is suitable for automoti 文件：548.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN100_0711	文件：154.39 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：154.39 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN100_1	文件：86.02 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：86.02 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN100_15	文件：106.07 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：106.07 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1003UCA6	文件：490.94 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：490.94 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1003UCA6-7	文件：490.94 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：490.94 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN100-7-F	文件：86.02 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：86.02 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.1 A
PD @ TA = +25°C：
0.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
170 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
240 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
5.5 nC
Packages：
SC59

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