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DMN1008UFDFQ	文件：548.25 Kbytes Page：7 Pages	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  PCB Footprint of 4mm2  Low Gate Threshold Voltage  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN1008UFDFQ is suitable for automoti 文件：548.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1008UFDFQ-13	文件：548.25 Kbytes Page：7 Pages	丝印：8N；Package：U-DFN2020-6；12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  PCB Footprint of 4mm2  Low Gate Threshold Voltage  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN1008UFDFQ is suitable for automoti 文件：548.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1008UFDFQ-7	文件：548.25 Kbytes Page：7 Pages	丝印：8N；Package：U-DFN2020-6；12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  PCB Footprint of 4mm2  Low Gate Threshold Voltage  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN1008UFDFQ is suitable for automoti 文件：548.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1008UFDFQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements ofautomotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by aPPAP. •0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications\n•PCB Footprint of 4mm2\n•Low Gate Threshold Voltage\n•Fast Switching Speed\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device \n•The DMN1008UFDFQ is suitable for automotive applicationsrequiring specific change;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
12 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
12.2 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
12.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
U-DFN2020-6

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更多DMN1008UFDFQ供应商更新时间2025-10-13 14:01:00

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