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DMN1002UCA6	文件：478.69 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RSS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • CSP with Footprint 3.05mm ×1.77mm • Height = 0.11mm for Low Profile • 文件：478.69 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1002UCA6	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RSS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. •CSP with Footprint 3.05mm × 1.77mm\n•Height = 0.11mm for Low Profile\n•ESD Protection of Gate;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN1002UCA6-7	文件：478.69 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RSS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • CSP with Footprint 3.05mm ×1.77mm • Height = 0.11mm for Low Profile • 文件：478.69 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1032UCB4-7	文件：0 bytes Page：0 Pages		DIODESINC 上传：深圳市三芯电子有限公司	DIODESINC
DMN10H120SFG	文件：0 bytes Page：0 Pages		DIODES INC 上传：天津市博通航睿技术有限公司	DIODES INC

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
12 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
24.4 A
PD @ TA = +25°C：
2.47 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
2.75 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
6.1 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X4-DSN3118-6

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更多DMN1002UCA6供应商更新时间2026-1-17 10:30:00

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