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DMN1002UCA6中文资料12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN1002UCA6

功能描述

12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:22:00

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DMN1002UCA6规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RSS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

特性 Features

•CSP with Footprint 3.05mm × 1.77mm
•Height = 0.11mm for Low Profile
•ESD Protection of Gate

应用 Application

•Battery Management
•Load Switch
•Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN1002UCA6

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :Yes

  • VDS

    :12 V

  • VGS

    :8 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :24.4 A

  • PD @ TA = +25°C

    :2.47 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :2.75 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :6.1 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :1.4 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :X4-DSN3118-6

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