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DMN2100UDM	文件：117.29 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • General Purpose Interfacing Switch • Power Management Fun 文件：117.29 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2100UDM-7	文件：117.29 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • General Purpose Interfacing Switch • Power Management Fun 文件：117.29 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2100UDM_15	文件：207.14 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：207.14 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2100UDM	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4 A
PD @ TA = +25°C：
1.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
55 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
70 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
90 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.8 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT26 (SC74R)

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