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DMN2009LSS-13

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 20V, ID= 12 A RDS(ON)

文件:1.28429 Mbytes 页数:5 Pages

BYCHIP

百域芯

DMN2009LSS-13

SOP8 N 20V 6MR

文件:737.496 Kbytes 页数:5 Pages

BYCHIP

百域芯

PDF上传者:深圳市凯睿晟科技有限公司

DMN2009LSS-13

5SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:151.11 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2009LSS-13

SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:238 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

详细参数

  • 型号:

    DMN2009LSS-13

  • 功能描述:

    MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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