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DMN26D0UT-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:151.1 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN26D0UT-7

SOT-523

DIODES

美台半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

DMN3007LSS-13

SOIC-8_150mil

DIODES/美台

DMN3110LCP3-7

X2-DSN1006-3

DIODES/美台

DMN3150LW-7

SOT-323

DIDDES

详细参数

  • 型号:

    DMN26D0UT-7

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多DMN26D0UT-7供应商 更新时间2025-12-24 13:58:00