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DMN3030LFG-7

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

文件:272.34 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3030LFG-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰

文件:278.04 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3110LCP3-7

X2-DSN1006-3

DIODES/美台

DMN3150LW-7

SOT-323

DIDDES

DMN3404L-7

SOT23

DIODES

美台半导体

上传:深圳市恒诺芯科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    DMN3030LFG-7

  • 功能描述:

    MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多DMN3030LFG-7供应商 更新时间2026-2-3 15:25:00