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DMN5L06DWK-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance (1.0V Max) • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • ESD Protected up to 2kV • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1

文件:145.13 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DMN5L06DWK-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DIODES

美台半导体

DMN5L06DWK-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN5L06TK-7

3PINSOTSMD

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美台半导体

上传:深圳市正迈科技有限公司

DMN5L06TK-7

SOT523

DIODES/美台

详细参数

  • 型号:

    DMN5L06DWK-7

  • 功能描述:

    MOSFET Dual N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES/美台
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SOT363
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DIODES/美台全新特价DMN5L06DWK-7即刻询购立享优惠#长期有货
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鍘熻姝e搧宸ュ巶鐜拌揣
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更多DMN5L06DWK-7供应商 更新时间2026-2-7 14:14:00