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DMN5L06TK-7	文件：176.41 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •ESDProtectedUpTo2kV •GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101standardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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DMN5L06TK-7

文件：176.41 Kbytes

Page：4 Pages

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •ESDProtectedUpTo2kV •GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101standardsforHighReliability

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

详细参数

型号：
DMN5L06TK-7
功能描述：
MOSFET .15W 50V .28A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多DMN5L06TK-7供应商更新时间2025-7-21 16:11:00

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