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DMN5L06TK-7	文件：176.41 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • ESD Protected Up To 2kV • Green Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability 文件：176.41 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06TK-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	3PINSOTSMD	DIODES 美台半导体上传：深圳市正迈科技有限公司	DIODES
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更多DMN5L06TK-7供应商更新时间2026-1-21 16:11:00