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DMN55D0UT-7	文件：184.67 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •ESDProtectedGateto2kV •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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DMN55D0UT-7

文件：184.67 Kbytes

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •ESDProtectedGateto2kV •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

DMN55D0UT-7

文件：152.86 Kbytes

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

详细参数

型号：
DMN55D0UT-7
功能描述：
MOSFET .2W 50V .16A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多DMN55D0UT-7供应商更新时间2025-6-19 10:12:00

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