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DMN3200U-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance ◾ 90mΩ @ VGS = 4.5V ◾ 110mΩ @ VGS = 2.5V ◾ 200mΩ @ VGS = 1.5V • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • ESD Protected Gate • Fast Switching Speed • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Fre

文件:152.5 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3200U-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:285.76 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3404L-7

SOT23

DIODES

美台半导体

上传:深圳市恒诺芯科技有限公司

DMN3730U-7

SOT-23-3

DIODES/美台

DMN3730UFB4-7

X2-DFN1006-3

DIODES/美台

详细参数

  • 型号:

    DMN3200U-7

  • 功能描述:

    MOSFET 650mW 30Vdss

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DMN3200U-7供应商 更新时间2026-1-30 17:32:00