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DMN3200U-7中文资料美台半导体数据手册PDF规格书

DMN3200U-7
厂商型号

DMN3200U-7

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

285.76 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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产品属性

  • 型号:

    DMN3200U-7

  • 功能描述:

    MOSFET 650mW 30Vdss

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES
24+
SOT23-3
67048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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DIODES/美台
24+
NA/
9250
原装现货,当天可交货,原型号开票
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DIODES/美台
23+
SOT-23
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