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DMN601TK	文件：272.47 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • Motor Control • Power Management Functions Features and Benefits • Low On-Resis 文件：272.47 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601TK	文件：141.83 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：141.83 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601TK	文件：411.92 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：411.92 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601TK-7	文件：272.47 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • Motor Control • Power Management Functions Features and Benefits • Low On-Resis 文件：272.47 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601TK_09	文件：141.83 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：141.83 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601TK_15	文件：458.94 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：458.94 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601TK_17	文件：411.92 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：411.92 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601TK-7	文件：141.83 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：141.83 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601TK	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.3 A
PD @ TA = +25°C：
0.15 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT523

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	DMN601TK	DIODES	24+		15000		询价
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更多DMN601TK供应商更新时间2025-10-4 16:30:00

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