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DMN32D2LFB4-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V Max • Low Input Capacitance • Fast

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DIODES

美台半导体

DMN32D2LFB4-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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美台半导体

DMN32D2LFB4-7B

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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美台半导体

DMN3404L-7

SOT23

DIODES

美台半导体

上传:深圳市恒诺芯科技有限公司

DMN3730U-7

SOT-23-3

DIODES/美台

详细参数

  • 型号:

    DMN32D2LFB4-7

  • 功能描述:

    MOSFET 350mW 30Vdss

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES/美台
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X2-DFN1006-3
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DIODES/美台全新特价DMN32D2LFB4-7即刻询购立享优惠#长期有货
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更多DMN32D2LFB4-7供应商 更新时间2025-12-15 20:18:00