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DMN3051L-7	文件：199.76 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Inp 文件：199.76 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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更多DMN3051L-7供应商更新时间2026-1-31 17:25:00